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半导体泵浦固体激光综合实验
半导体泵浦固体激光综合实验

半导体泵浦固体激光综合实验


实验简介:

       半导体泵浦固体激光器具有结构紧凑,转换效率高等特点已经成为现代工业应用的主流激光器。RealLight™应用全工业器件和科研级晶体设计的半导体泵浦固体激光器综合实验具有系统开放、调整简单、知识全面、可定量测量参数等特点。本实验适合配套激光原理等课程开设本科生专业实验,或高职院校进行实训教学。


 

实验内容

    1、半导体激光器泵浦源阈值及I-P特性测量实验;
    2、半导体泵浦固体激光器的功—功转换效率测量实验;
    3、腔长选取实验;
    4、输出透过率选取实验;
    5、激光倍频实验(B型配置:低通滤波器);
    6、激光倍频匹配角选择实验(B型配置);
    7、可饱和吸收晶体被动调Q实验(B型配置);
    8、调Q脉冲宽度和重复频率测量实验(B型配置)。

 

主要设备参数:

    1. 机械组件:
四维晶体调节架,中心高50mm,通光孔径Ф20mm,稳定性<2′;
二维腔镜调整架,中心高50mm,通光孔径Ф20mm,稳定性<2′;
精密光学导轨:L×W=600mm×90mm,配套滑块。
    2. 探测器组件:(B型配置)
高速脉冲探测器:响应波长400nm~1100nm,10ns响应速度。
    3. 激光晶体组件:
Nd3+:YAG晶体:通光口径Φ3mm,S1:AR@808nm&HR@1064nm,S2:AR@1064nm;
Nd:YVO4晶体:通光口径3mm×3mm,S1:AR@808nm&HR@1064nm,S2:AR@1064nm;
(B型配置)
KTP晶体:通光口径3mm×3mm,AR@532nm&1064nm;
Cr4+:YAG晶体:通光口径Φ7mm,AR@532nm&1064nm。(B型配置)
    4. 光学组件:
532nm输出镜:Ф20mm,AR@532nm&HR@1064nm;(B型配置)
1064nm输出镜:Ф20mm,T=3%,T=8%输出镜各一片;
耦合镜头:Φ16×40mm;
红外显示卡一张。
    5. 光源组件:
TEC温控半导体激光器组件:LD中心波长808nm,精度±5nm,P>1.7W,TO3封装,温控陶瓷,快轴整形;
温控电源:工作电流0~2.3A连续可调;
准直激光器:650nm,P>1mW,光斑输出1.5mm。

    6. 激光防护镜组件:
防护波段:1064nm&532nm。(B型配置)
    7. 实验仪器外壳:
外形尺寸:700mm×400mm×220mm,前开门展开角度180°,上开盖气动支杆连接,展开角度130°,12mm厚铝制面包板。
    8. 讲义及快速安装指南。

 

选配实验参数:

    1、数字示波器:带宽100MHz,采样频率1GHz;

    2、激光功率计,0.19μm-11μm,分辨率10μW,量程0-10W。

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